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HGTG40N60B3

HGTG40N60B3

僅供參考

型號 HGTG40N60B3
PNEDA編號 HGTG40N60B3
描述 IGBT 600V 70A 290W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,596
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTG40N60B3資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTG40N60B3
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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HGTG40N60B3規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)70A
電流-集電極脈沖(Icm)330A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2V @ 15V, 40A
功率-最大290W
開關能量1.05mJ (on), 800µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用250nC
25°C時的Td(開/關)47ns/170ns
測試條件480V, 40A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

310A

電流-集電極脈沖(Icm)

860A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 160A

功率-最大

940W

開關能量

3.3mJ (on), 1.88mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

425nC

25°C時的Td(開/關)

52ns/220ns

測試條件

400V, 80A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.85V @ 15V, 20A

功率-最大

220W

開關能量

2.4mJ (on), 4.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

105nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/251ns

測試條件

960V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

84ns

工作溫度

-55°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247

MGP15N40CL

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 4V, 25A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/4µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.65V @ 15V, 50A

功率-最大

312W

開關能量

4.1mJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/190ns

測試條件

600V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

350ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-3P

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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