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HGTD1N120BNS9A

HGTD1N120BNS9A

僅供參考

型號 HGTD1N120BNS9A
PNEDA編號 HGTD1N120BNS9A
描述 IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 47,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

HGTD1N120BNS9A資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號HGTD1N120BNS9A
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
HGTD1N120BNS9A, HGTD1N120BNS9A數據表 (總頁數: 10, 大小: 217.31 KB)
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HGTD1N120BNS9A規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)5.3A
電流-集電極脈沖(Icm)6A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 1A
功率-最大60W
開關能量70µJ (on), 90µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用14nC
25°C時的Td(開/關)15ns/67ns
測試條件960V, 1A, 82Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252AA

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

20A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 5A

功率-最大

88W

開關能量

56µJ (on), 78.5µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

43nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/140ns

測試條件

400V, 5A, 47Ohm, 15V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

380A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 42A

功率-最大

240W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

72ns/445ns

測試條件

1500V, 42A, 20Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.7µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

3.5mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

73nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/350ns

測試條件

800V, 20A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

功率-最大

455W

開關能量

2.5mJ (on), 2.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

210nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

400V, 75A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

170ns

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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