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H11G2W

H11G2W

僅供參考

型號 H11G2W
PNEDA編號 H11G2W
描述 OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,388
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11G2W資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11G2W
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11G2W, H11G2W數據表 (總頁數: 6, 大小: 129.69 KB)
PDFH11G3W數據表 封面
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H11G2W規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離5300Vrms
電流傳輸比(最小值)1000% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)5µs, 100µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)80V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.3V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-55°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.400", 10.16mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

50% @ 1mA

電流傳輸比(最大值)

150% @ 1mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

AC, DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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安裝類型

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

125% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

250% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-30°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

4-DIP (0.400", 10.16mm)

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 5µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

350V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-25°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

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2500Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

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開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

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