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H11B1VM

H11B1VM

僅供參考

型號 H11B1VM
PNEDA編號 H11B1VM
描述 OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價
1 ---------- $12.2875
100 ---------- $11.7115
250 ---------- $11.1355
500 ---------- $10.5596
750 ---------- $10.0796
1,000 ---------- $9.5996
庫存 4,313
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11B1VM資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11B1VM
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
H11B1VM, H11B1VM數據表 (總頁數: 14, 大小: 399.52 KB)
PDF4N29TVM數據表 封面
4N29TVM數據表 頁面 2 4N29TVM數據表 頁面 3 4N29TVM數據表 頁面 4 4N29TVM數據表 頁面 5 4N29TVM數據表 頁面 6 4N29TVM數據表 頁面 7 4N29TVM數據表 頁面 8 4N29TVM數據表 頁面 9 4N29TVM數據表 頁面 10 4N29TVM數據表 頁面 11

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H11B1VM規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)500% @ 1mA
電流傳輸比(最大值)-
開啟/關閉時間(典型值)25µs, 18µs
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Darlington with Base
電壓-輸出(最大值)30V
電流-輸出/通道150mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.2V
電流-直流正向(If)(最大值)80mA
Vce飽和度(最大值)1V
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

320% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

2µs, 2µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

AC, DC

輸出類型

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電壓-輸出(最大值)

30V

電流-輸出/通道

150mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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60mA

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電流傳輸比(最小值)

100% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 4µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

-

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

30mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

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開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

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電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

3µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

2µs, 3µs

輸入類型

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Transistor

電壓-輸出(最大值)

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