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H11AV1M

H11AV1M

僅供參考

型號 H11AV1M
PNEDA編號 H11AV1M
描述 OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 16,476
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 12 - 五月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

H11AV1M資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號H11AV1M
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出

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H11AV1M規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離4170Vrms
電流傳輸比(最小值)100% @ 10mA
電流傳輸比(最大值)300% @ 10mA
開啟/關閉時間(典型值)15µs, 15µs (Max)
上升/下降時間(典型值)-
輸入類型DC
輸出類型Transistor with Base
電壓-輸出(最大值)70V
電流-輸出/通道-
電壓-正向(Vf)(典型值)1.18V
電流-直流正向(If)(最大值)60mA
Vce飽和度(最大值)400mV
工作溫度-40°C ~ 100°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱6-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝6-DIP

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5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

130% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

260% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

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電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

5µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

-55°C ~ 110°C

安裝類型

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

3750Vrms

電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

300% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

40V

電流-輸出/通道

80mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.4V (Max)

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

300mV

工作溫度

-40°C ~ 110°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

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頻道數

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電壓-隔離

5300Vrms

電流傳輸比(最小值)

10% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

5µs, 5µs

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

200V

電流-輸出/通道

100mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.15V

電流-直流正向(If)(最大值)

80mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-55°C ~ 100°C

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

100% @ 5mA

電流傳輸比(最大值)

200% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

3µs, 5µs

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