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GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

僅供參考

型號 GT50J121(Q)
PNEDA編號 GT50J121-Q
描述 IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
制造商 Toshiba Semiconductor and Storage
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庫存 2,448
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 28 - 六月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GT50J121(Q)資源

品牌 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GT50J121(Q)
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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GT50J121(Q)規格

制造商Toshiba Semiconductor and Storage
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 50A
功率-最大240W
開關能量1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用-
25°C時的Td(開/關)90ns/300ns
測試條件300V, 50A, 13Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-3PL
供應商設備包裝TO-3P(LH)

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60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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門禁費用

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103ns

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

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測試條件

960V, 40A, 2Ohm, 15V

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