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GSID600A120S4B1

GSID600A120S4B1

僅供參考

型號 GSID600A120S4B1
PNEDA編號 GSID600A120S4B1
描述 SILICON IGBT MODULES
制造商 Global Power Technologies Group
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 15 - 五月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

GSID600A120S4B1資源

品牌 Global Power Technologies Group
ECAD Module ECAD
制造商零件編號GSID600A120S4B1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
GSID600A120S4B1, GSID600A120S4B1數據表 (總頁數: 9, 大小: 335.82 KB)
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GSID600A120S4B1規格

制造商Global Power Technologies Group
系列Amp+™
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)1130A
功率-最大3060W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce51nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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120A

功率-最大

390W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 77A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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E2

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E2

APTGT30H60T3G

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

90W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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SP3

供應商設備包裝

SP3

APTGT35A120D1G

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Chassis Mount

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D1

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D1

APTCV50H60T3G

Microsemi

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Microsemi Corporation

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-

IGBT類型

NPT, Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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