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FS50R17KE3B17BOSA1

FS50R17KE3B17BOSA1

僅供參考

型號 FS50R17KE3B17BOSA1
PNEDA編號 FS50R17KE3B17BOSA1
描述 MOD IGBT LOW PWR ECONO2-6
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,168
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS50R17KE3B17BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS50R17KE3B17BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS50R17KE3B17BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)82A
功率-最大345W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce4.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 125°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Infineon Technologies

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

130A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

270A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

153A

功率-最大

446W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

658W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 100A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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