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FS225R17KE4BOSA1

FS225R17KE4BOSA1

僅供參考

型號 FS225R17KE4BOSA1
PNEDA編號 FS225R17KE4BOSA1
描述 MOD IGBT MED PWR ECONOPP-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,264
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FS225R17KE4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FS225R17KE4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FS225R17KE4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列EconoPACK™+
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)340A
功率-最大1500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.3V @ 15V, 225A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce18.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

215W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APT45GP120JDQ2

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

POWER MOS 7®

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

329W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 45A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

供應商設備包裝

ISOTOP®

BSM15GD120DLCE3224BOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

145W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

76µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

CM600DU-24NFH

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

1550W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

6.5V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

95nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

184A

功率-最大

577W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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