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FQU5P20TU

FQU5P20TU

僅供參考

型號 FQU5P20TU
PNEDA編號 FQU5P20TU
描述 MOSFET P-CH 200V 3.7A IPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 49,170
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FQU5P20TU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FQU5P20TU
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FQU5P20TU, FQU5P20TU數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,284.11 KB)
PDFFQU5P20TU數據表 封面
FQU5P20TU數據表 頁面 2 FQU5P20TU數據表 頁面 3 FQU5P20TU數據表 頁面 4 FQU5P20TU數據表 頁面 5 FQU5P20TU數據表 頁面 6 FQU5P20TU數據表 頁面 7 FQU5P20TU數據表 頁面 8 FQU5P20TU數據表 頁面 9 FQU5P20TU數據表 頁面 10 FQU5P20TU數據表 頁面 11

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FQU5P20TU規格

制造商ON Semiconductor
系列QFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 1.85A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds430pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.5W (Ta), 45W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝I-PAK
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 14µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1900pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

12V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

-6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

628pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

64A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 5V

Vgs(最大)

±15V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4029pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

167W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 185°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.65mOhm @ 100A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4556pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 136W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

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