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FPN530

FPN530

僅供參考

型號 FPN530
PNEDA編號 FPN530
描述 TRANS NPN 30V 3A TO-226
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 12 - 七月 17 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FPN530資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FPN530
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FPN530, FPN530數據表 (總頁數: 4, 大小: 40.72 KB)
PDFFPN530數據表 封面
FPN530數據表 頁面 2 FPN530數據表 頁面 3 FPN530數據表 頁面 4

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FPN530規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)3A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 100mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 100mA, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡150MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 Long Body
供應商設備包裝TO-226

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 5A, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5A, 4V

功率-最大

350W

頻率-過渡

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工作溫度

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

85 @ 500mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

110V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 1mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

10nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 5V

功率-最大

1W

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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250mV @ 10mA, 100mA

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1μA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 100mA, 1V

功率-最大

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 6mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

750 @ 1.5A, 3V

功率-最大

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