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FP75R12N2T4BOSA1

FP75R12N2T4BOSA1

僅供參考

型號 FP75R12N2T4BOSA1
PNEDA編號 FP75R12N2T4BOSA1
描述 LOW POWER ECONO
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 七月 20 - 七月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FP75R12N2T4BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FP75R12N2T4BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FP75R12N2T4BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

輸入

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.65nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.43nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.5nF @ 25V

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Standard

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No

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輸入電容(Cies)@ Vce

29nF @ 25V

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NTC熱敏電阻

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