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FODM2701AR2V

FODM2701AR2V

僅供參考

型號 FODM2701AR2V
PNEDA編號 FODM2701AR2V
描述 OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,238
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 19 - 五月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FODM2701AR2V資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FODM2701AR2V
類別半導體隔離器光電隔離器-晶體管,光伏輸出
數據表
FODM2701AR2V, FODM2701AR2V數據表 (總頁數: 13, 大小: 401.04 KB)
PDFFODM2701R2V數據表 封面
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FODM2701AR2V規格

制造商ON Semiconductor
系列-
頻道數1
電壓-隔離3750Vrms
電流傳輸比(最小值)50% @ 5mA
電流傳輸比(最大值)300% @ 5mA
開啟/關閉時間(典型值)-
上升/下降時間(典型值)3µs, 3µs
輸入類型DC
輸出類型Transistor
電壓-輸出(最大值)40V
電流-輸出/通道80mA
電壓-正向(Vf)(典型值)1.4V (Max)
電流-直流正向(If)(最大值)50mA
Vce飽和度(最大值)300mV
工作溫度-40°C ~ 110°C
安裝類型Surface Mount
包裝/箱4-SMD, Gull Wing
供應商設備包裝4-SMD

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電流傳輸比(最小值)

50% @ 5mA

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600% @ 5mA

開啟/關閉時間(典型值)

-

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3µs

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

80V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.2V

電流-直流正向(If)(最大值)

50mA

Vce飽和度(最大值)

200mV

工作溫度

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電壓-隔離

5000Vrms

電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

-

開啟/關閉時間(典型值)

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上升/下降時間(典型值)

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電壓-正向(Vf)(典型值)

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電流-直流正向(If)(最大值)

20mA

Vce飽和度(最大值)

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制造商

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系列

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頻道數

1

電壓-隔離

4170Vrms

電流傳輸比(最小值)

40% @ 10mA

電流傳輸比(最大值)

80% @ 10mA

開啟/關閉時間(典型值)

2µs, 3µs

上升/下降時間(典型值)

4µs, 3.5µs (Max)

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor with Base

電壓-輸出(最大值)

70V

電流-輸出/通道

50mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.35V

電流-直流正向(If)(最大值)

60mA

Vce飽和度(最大值)

400mV

工作溫度

-40°C ~ 100°C

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-隔離

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電流傳輸比(最小值)

25% @ 16mA

電流傳輸比(最大值)

60% @ 16mA

開啟/關閉時間(典型值)

200ns, 300ns

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

1.5V

電流-直流正向(If)(最大值)

25mA

Vce飽和度(最大值)

-

工作溫度

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電流傳輸比(最小值)

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電流傳輸比(最大值)

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開啟/關閉時間(典型值)

1µs, 1µs (Max)

上升/下降時間(典型值)

-

輸入類型

DC

輸出類型

Transistor

電壓-輸出(最大值)

20V

電流-輸出/通道

8mA

電壓-正向(Vf)(典型值)

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