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FMMT619-G

FMMT619-G

僅供參考

型號 FMMT619-G
PNEDA編號 FMMT619-G
描述 NPN TRANSISTOR 2A 50V SOT-23 ROH
制造商 Comchip Technology
單價 請求報價
庫存 153,204
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 14 - 五月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMMT619-G資源

品牌 Comchip Technology
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMMT619-G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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FMMT619-G規格

制造商Comchip Technology
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)2A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic220mV @ 100mA, 2A
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 2A, 2V
功率-最大350mW
頻率-過渡100MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SOT-23

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

200mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 10mA, 1V

功率-最大

250mW

頻率-過渡

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

310mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

65V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 2mA, 5V

功率-最大

250mW

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 50mA, 500mA

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