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FMG2G150US60E

FMG2G150US60E

僅供參考

型號 FMG2G150US60E
PNEDA編號 FMG2G150US60E
描述 IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-GA
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FMG2G150US60E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FMG2G150US60E
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FMG2G150US60E, FMG2G150US60E數據表 (總頁數: 9, 大小: 660.25 KB)
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FMG2G150US60E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.8V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce12.84nF @ 30V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱7PM-GA
供應商設備包裝7PM-GA

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45A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

18.6nF @ 25V

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.61nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

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