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FJP1943OTU

FJP1943OTU

僅供參考

型號 FJP1943OTU
PNEDA編號 FJP1943OTU
描述 TRANS PNP 230V 15A TO-220AB
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJP1943OTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJP1943OTU
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
FJP1943OTU, FJP1943OTU數據表 (總頁數: 7, 大小: 325.03 KB)
PDFFJP1943OTU數據表 封面
FJP1943OTU數據表 頁面 2 FJP1943OTU數據表 頁面 3 FJP1943OTU數據表 頁面 4 FJP1943OTU數據表 頁面 5 FJP1943OTU數據表 頁面 6 FJP1943OTU數據表 頁面 7

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FJP1943OTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP
當前-集電極(Ic)(最大值)15A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)230V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic3V @ 800mA, 8A
當前-集電極截止(最大值)5µA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 1A, 5V
功率-最大80W
頻率-過渡30MHz
工作溫度-50°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3
供應商設備包裝TO-220-3

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

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工作溫度

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制造商

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晶體管類型

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當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 2V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 400mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 4A, 1V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

40MHz

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-261-4, TO-261AA

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

NPN - Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

8A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2V @ 12mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

1000 @ 3A, 4V

功率-最大

75W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220AB

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

900mV @ 150mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

20µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 1A, 4V

功率-最大

15W

頻率-過渡

-

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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