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FJN598JBBU

FJN598JBBU

僅供參考

型號 FJN598JBBU
PNEDA編號 FJN598JBBU
描述 JFET N-CH 20V 0.15W TO92
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FJN598JBBU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FJN598JBBU
類別半導體晶體管晶體管-JFET
數據表
FJN598JBBU, FJN598JBBU數據表 (總頁數: 5, 大小: 51.17 KB)
PDFFJN598JCBU數據表 封面
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FJN598JBBU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N-Channel
電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)20V
漏極至源極電壓(Vdss)-
當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)100µA @ 5V
電流消耗(Id)-最大1mA
電壓-截止(VGS關閉)@ ID600mV @ 1µA
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3.5pF @ 5V
電阻-RDS(On)-
功率-最大150mW
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
供應商設備包裝TO-92-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

2mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

1V @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 135°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

750mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

350mW

工作溫度

-65°C ~ 135°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

供應商設備包裝

TO-92 (TO-226)

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

140µA @ 5V

電流消耗(Id)-最大

1mA

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

200mV @ 1µA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3.5pF @ 5V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

100mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

50V

漏極至源極電壓(Vdss)

-

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

200µA @ 15V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

300mV @ 100nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7pF @ 15V

電阻-RDS(On)

-

功率-最大

300mW

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-206AA (TO-18)

制造商

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FET類型

N-Channel

電壓-擊穿電壓(V(BR)GSS)

40V

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

當前-漏極(Ids)@ Vds(Vgs=0)

5mA @ 20V

電流消耗(Id)-最大

-

電壓-截止(VGS關閉)@ ID

500mV @ 1nA

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

14pF @ 20V

電阻-RDS(On)

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工作溫度

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