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FGY75T95SQDT

FGY75T95SQDT

僅供參考

型號 FGY75T95SQDT
PNEDA編號 FGY75T95SQDT
描述 IGBT 950V 75A
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGY75T95SQDT資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGY75T95SQDT
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGY75T95SQDT, FGY75T95SQDT數據表 (總頁數: 10, 大小: 589.29 KB)
PDFFGY75T95SQDT數據表 封面
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FGY75T95SQDT規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)950V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
電流-集電極脈沖(Icm)300A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.11V @ 15V, 75A
功率-最大434W
開關能量8.8mJ (on), 3.2mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用137nC
25°C時的Td(開/關)28.8ns/117ns
測試條件600V, 75A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)259ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝TO-247-3

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

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輸入類型

-

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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9A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 3A

功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

8.6nC

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

電流-集電極脈沖(Icm)

580A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.1V @ 15V, 75A

功率-最大

1040W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

350nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

IXYS

系列

BIMOSFET™

IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 12A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

62nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.4µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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