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FGPF10N60UNDF

FGPF10N60UNDF

僅供參考

型號 FGPF10N60UNDF
PNEDA編號 FGPF10N60UNDF
描述 IGBT 600V 20A 42W TO-220F
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 19,416
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGPF10N60UNDF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGPF10N60UNDF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGPF10N60UNDF, FGPF10N60UNDF數據表 (總頁數: 10, 大小: 485.29 KB)
PDFFGPF10N60UNDF數據表 封面
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FGPF10N60UNDF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)20A
電流-集電極脈沖(Icm)30A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 10A
功率-最大42W
開關能量150µJ (on), 50µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用37nC
25°C時的Td(開/關)8ns/52.2ns
測試條件400V, 10A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)37.7ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-220-3 Full Pack
供應商設備包裝TO-220F

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當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

功率-最大

72W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

94nC

25°C時的Td(開/關)

39ns/143ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

45A

電流-集電極脈沖(Icm)

300A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 20A

功率-最大

164W

開關能量

500µJ (on), 500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

91nC

25°C時的Td(開/關)

28ns/151ns

測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

電流-集電極脈沖(Icm)

250A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 32A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

142nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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制造商

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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