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FGH60T65SQD-F155

FGH60T65SQD-F155

僅供參考

型號 FGH60T65SQD-F155
PNEDA編號 FGH60T65SQD-F155
描述 650V 60A FS4 TRENCH IGBT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,938
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH60T65SQD-F155資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH60T65SQD-F155
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH60T65SQD-F155, FGH60T65SQD-F155數據表 (總頁數: 10, 大小: 553.42 KB)
PDFFGH60T65SQD-F155數據表 封面
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FGH60T65SQD-F155規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)650V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)240A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 60A
功率-最大333W
開關能量227µJ (on), 100µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用79nC
25°C時的Td(開/關)20.8ns/102ns
測試條件400V, 15A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)34.6ns
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 4V, 10A

功率-最大

107W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/4µs

測試條件

300V, 6.5A, 1kOhm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

200W

開關能量

3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/180ns

測試條件

960V, 35A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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ISOPLUS247™

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制造商

ON Semiconductor

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 40A

功率-最大

555W

開關能量

2.24mJ (on), 1.02mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

370nC

25°C時的Td(開/關)

44ns/464ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 50A

功率-最大

333W

開關能量

2.6mJ

輸入類型

Standard

門禁費用

310nC

25°C時的Td(開/關)

26ns/299ns

測試條件

400V, 50A, 7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

143ns

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-40°C ~ 175°C (TJ)

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