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FGH60N60SFTU

FGH60N60SFTU

僅供參考

型號 FGH60N60SFTU
PNEDA編號 FGH60N60SFTU
描述 IGBT 600V 120A 378W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH60N60SFTU資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH60N60SFTU
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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FGH60N60SFTU規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)120A
電流-集電極脈沖(Icm)180A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.9V @ 15V, 60A
功率-最大378W
開關能量1.79mJ (on), 670µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用198nC
25°C時的Td(開/關)22ns/134ns
測試條件400V, 60A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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38A

電流-集電極脈沖(Icm)

48A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 35A

功率-最大

125W

開關能量

1.6mJ (on), 800µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

140nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

300V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

32A

電流-集電極脈沖(Icm)

36A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 12A

功率-最大

140W

開關能量

75µJ (on), 225µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

25nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/83ns

測試條件

400V, 12A, 22Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

68ns

工作溫度

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安裝類型

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STMicroelectronics

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 10A

功率-最大

115W

開關能量

83µJ (on), 140µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

57nC

25°C時的Td(開/關)

19.5ns/103ns

測試條件

400V, 10A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

107ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

TO-220

IRGS4B60KD1TRRP

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

11A

電流-集電極脈沖(Icm)

22A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

功率-最大

63W

開關能量

73µJ (on), 47µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

12nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/100ns

測試條件

400V, 4A, 100Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

93ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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