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FGH40N6S2D

FGH40N6S2D

僅供參考

型號 FGH40N6S2D
PNEDA編號 FGH40N6S2D
描述 IGBT 600V 75A 290W TO247
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,506
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGH40N6S2D資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGH40N6S2D
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGH40N6S2D, FGH40N6S2D數據表 (總頁數: 9, 大小: 176.11 KB)
PDFFGH40N6S2D數據表 封面
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FGH40N6S2D規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)180A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 20A
功率-最大290W
開關能量115µJ (on), 195µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用35nC
25°C時的Td(開/關)8ns/35ns
測試條件390V, 20A, 3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)48ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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75A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

功率-最大

300W

開關能量

4.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

200nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/200ns

測試條件

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

125A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 20A

功率-最大

185W

開關能量

350µJ (on), 435µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.96V @ 15V, 120A

功率-最大

160W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

65nC

25°C時的Td(開/關)

36ns/112ns

測試條件

196V, 25A, 10Ohm

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247AC

制造商

IXYS

系列

HiPerFAST™

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 35A

功率-最大

350W

開關能量

3.8mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

170nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/180ns

測試條件

960V, 35A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 75A, 3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

55ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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