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FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

僅供參考

型號 FGD3N60UNDF
PNEDA編號 FGD3N60UNDF
描述 IGBT 600V 6A 60W DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,888
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 26 - 五月 31 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGD3N60UNDF資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGD3N60UNDF
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGD3N60UNDF, FGD3N60UNDF數據表 (總頁數: 12, 大小: 1,146.92 KB)
PDFFGD3N60UNDF數據表 封面
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FGD3N60UNDF規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電流-集電極脈沖(Icm)9A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.52V @ 15V, 3A
功率-最大60W
開關能量52µJ (on), 30µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用1.6nC
25°C時的Td(開/關)5.5ns/22ns
測試條件400V, 3A, 10Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)21ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)

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IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

36A

電流-集電極脈沖(Icm)

80A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.15V @ 15V, 20A

功率-最大

178W

開關能量

690µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/207ns

測試條件

400V, 20A, 16Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

170A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 45A

功率-最大

625W

開關能量

900µJ (on), 904µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

185nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/102ns

測試條件

600V, 45A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 [B]

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

NPT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

21A

電流-集電極脈沖(Icm)

40A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 5A

功率-最大

167W

開關能量

450µJ (on), 390µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

53nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/160ns

測試條件

960V, 5A, 25Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

65ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

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制造商

ON Semiconductor

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

430V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 4V, 15A

功率-最大

115W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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ON Semiconductor

制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

390V

當前-集電極(Ic)(最大值)

18A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 5V, 14A

功率-最大

100W

開關能量

-

輸入類型

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門禁費用

24nC

25°C時的Td(開/關)

-/7µs

測試條件

300V, 7A, 25Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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