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FGD3N60LSDTM-T

FGD3N60LSDTM-T

僅供參考

型號 FGD3N60LSDTM-T
PNEDA編號 FGD3N60LSDTM-T
描述 INTEGRATED CIRCUIT
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 5,886
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 30 - 六月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FGD3N60LSDTM-T資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FGD3N60LSDTM-T
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
FGD3N60LSDTM-T, FGD3N60LSDTM-T數據表 (總頁數: 8, 大小: 886.28 KB)
PDFFGD3N60LSDTM-T數據表 封面
FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 2 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 3 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 4 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 5 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 6 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 7 FGD3N60LSDTM-T數據表 頁面 8

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FGD3N60LSDTM-T規格

制造商ON Semiconductor
系列-
IGBT類型-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)6A
電流-集電極脈沖(Icm)25A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.5V @ 10V, 3A
功率-最大40W
開關能量250µJ (on), 1mJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用12.5nC
25°C時的Td(開/關)40ns/600ns
測試條件480V, 3A, 470Ohm, 10V
反向恢復時間(trr)234ns
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供應商設備包裝TO-252, (D-Pak)

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

900V

當前-集電極(Ic)(最大值)

310A

電流-集電極脈沖(Icm)

840A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 140A

功率-最大

1630W

開關能量

4.3mJ (on), 4mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

330nC

25°C時的Td(開/關)

40ns/145ns

測試條件

450V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

PLUS247™-3

IRG4PSC71K

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 60A

功率-最大

350W

開關能量

790µJ (on), 1.98mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

340nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/54ns

測試條件

480V, 60A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

Renesas Electronics America

系列

-

IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.95V @ 15V, 30A

功率-最大

208.3W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

54ns/136ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

100ns

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247A

IGP30N65H5XKSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 30A

功率-最大

188W

開關能量

280µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

70nC

25°C時的Td(開/關)

19ns/177ns

測試條件

400V, 15A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

PG-TO220-3

IRG4PC40F

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

49A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 27A

功率-最大

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門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

480V, 27A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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