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FF800R17KP4B2NOSA2

FF800R17KP4B2NOSA2

僅供參考

型號 FF800R17KP4B2NOSA2
PNEDA編號 FF800R17KP4B2NOSA2
描述 IGBT MODULE 1700V 800A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,930
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 4 - 五月 9 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF800R17KP4B2NOSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF800R17KP4B2NOSA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF800R17KP4B2NOSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列*
IGBT類型-
配置-
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大-
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic-
當前-集電極截止(最大值)-
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入-
NTC熱敏電阻-
工作溫度-
安裝類型-
包裝/箱-
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400A

功率-最大

3780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

98.8nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

-

包裝/箱

Module

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

325A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 225A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

19A

功率-最大

90W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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E1

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

800µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

2300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

49nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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