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FF600R12ME4CB11BOSA1

FF600R12ME4CB11BOSA1

僅供參考

型號 FF600R12ME4CB11BOSA1
PNEDA編號 FF600R12ME4CB11BOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 600A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,020
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 11 - 六月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF600R12ME4CB11BOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF600R12ME4CB11BOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF600R12ME4CB11BOSA1, FF600R12ME4CB11BOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 603.16 KB)
PDFFF600R12ME4CPB11BPSA1數據表 封面
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FF600R12ME4CB11BOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)1060A
功率-最大4050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 600A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce37nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1980W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

49.4nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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43A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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