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FF200R12MT4BOMA1

FF200R12MT4BOMA1

僅供參考

型號 FF200R12MT4BOMA1
PNEDA編號 FF200R12MT4BOMA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 200A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,184
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 24 - 五月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF200R12MT4BOMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF200R12MT4BOMA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF200R12MT4BOMA1, FF200R12MT4BOMA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 603.12 KB)
PDFFF200R12MT4BOMA1數據表 封面
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FF200R12MT4BOMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大1050W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce14nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

30nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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Module

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

145A

功率-最大

1000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

16nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

150°C (TJ)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

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No

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