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FF150R12RT4HOSA1

FF150R12RT4HOSA1

僅供參考

型號 FF150R12RT4HOSA1
PNEDA編號 FF150R12RT4HOSA1
描述 IGBT MODULE 1200V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 27 - 七月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF150R12RT4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF150R12RT4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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FF150R12RT4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列C
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)150A
功率-最大790W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce-
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Module
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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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2.3V @ 15V, 500A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

41nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

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