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FF100R12RT4HOSA1

FF100R12RT4HOSA1

僅供參考

型號 FF100R12RT4HOSA1
PNEDA編號 FF100R12RT4HOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價
1 ---------- $679.3640
50 ---------- $647.5188
100 ---------- $615.6736
200 ---------- $583.8284
400 ---------- $557.2908
500 ---------- $530.7531
庫存 3,130
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 17 - 五月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FF100R12RT4HOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FF100R12RT4HOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FF100R12RT4HOSA1, FF100R12RT4HOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 586.97 KB)
PDFFF100R12RT4HOSA1數據表 封面
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FF100R12RT4HOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置2 Independent
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大555W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.15V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce630nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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Infineon Technologies

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-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

600A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

24.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

SP3

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

450A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APT40GP60JDQ2

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

POWER MOS 7®

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

86A

功率-最大

284W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.61nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

ISOTOP®

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