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FDV302P

FDV302P FDV302P

僅供參考

型號 FDV302P
PNEDA編號 FDV302P
描述 MOSFET P-CH 25V 120MA SOT-23
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 1,549,296
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 1 - 五月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDV302P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDV302P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDV302P, FDV302P數據表 (總頁數: 5, 大小: 287.19 KB)
PDFFDV302P數據表 封面
FDV302P數據表 頁面 2 FDV302P數據表 頁面 3 FDV302P數據表 頁面 4 FDV302P數據表 頁面 5

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FDV302P規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120mA (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)2.7V, 4.5V
Rds On(Max)@ Id,Vgs10Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.31nC @ 4.5V
Vgs(最大)±8V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)350mW (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝SOT-23
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

156pF @ 6V

FET功能

-

功耗(最大值)

840mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 10.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

-

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6.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

490mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.75V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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