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FDMS3669S

FDMS3669S

僅供參考

型號 FDMS3669S
PNEDA編號 FDMS3669S
描述 MOSFET 2N-CH 30V 13A/18A PWR56
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,372
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 九月 23 - 九月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDMS3669S資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDMS3669S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDMS3669S, FDMS3669S數據表 (總頁數: 14, 大小: 1,105.13 KB)
PDFFDMS3669S數據表 封面
FDMS3669S數據表 頁面 2 FDMS3669S數據表 頁面 3 FDMS3669S數據表 頁面 4 FDMS3669S數據表 頁面 5 FDMS3669S數據表 頁面 6 FDMS3669S數據表 頁面 7 FDMS3669S數據表 頁面 8 FDMS3669S數據表 頁面 9 FDMS3669S數據表 頁面 10 FDMS3669S數據表 頁面 11

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FDMS3669S規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A, 18A
Rds On(Max)@ Id,Vgs10mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.7V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs24nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1605pF @ 15V
功率-最大1W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerTDFN
供應商設備包裝Power56

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 15V

功率-最大

5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57.4nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2607pF @ 10V

功率-最大

2.14W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

39A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

70mOhm @ 39A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

259nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

700pF @ 25V

功率-最大

250W

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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