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FDG6308P

FDG6308P

僅供參考

型號 FDG6308P
PNEDA編號 FDG6308P
描述 MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 6,714
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDG6308P資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDG6308P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDG6308P, FDG6308P數據表 (總頁數: 6, 大小: 182.71 KB)
PDFFDG6308P數據表 封面
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FDG6308P規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)600mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ ID1.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs2.5nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds153pF @ 10V
功率-最大300mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供應商設備包裝SC-88 (SC-70-6)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

39mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

520pF @ 10V

功率-最大

8.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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7.6A (Ta), 15A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

22mOhm @ 10A, 5V, 8mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA, 1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.7nC @ 4.5V, 8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

481pF @ 15V, 996pF @ 15V

功率-最大

1.96W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12mA, 3mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

500Ohm @ 4.8V

Vgs(th)(最大)@ ID

820mV @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2.5pF @ 5V

功率-最大

500mW

工作溫度

0°C ~ 70°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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22A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

420mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

186nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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