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FDD5612

FDD5612

僅供參考

型號 FDD5612
PNEDA編號 FDD5612
描述 MOSFET N-CH 60V 5.4A DPAK
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 20,538
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 16 - 五月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDD5612資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDD5612
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
FDD5612, FDD5612數據表 (總頁數: 5, 大小: 364.98 KB)
PDFFDD5612數據表 封面
FDD5612數據表 頁面 2 FDD5612數據表 頁面 3 FDD5612數據表 頁面 4 FDD5612數據表 頁面 5

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FDD5612規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)5.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs55mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds660pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

56mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+12V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-23-3 Flat Leads

FCH104N60F-F085

ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

37A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

104mOhm @ 18.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

139nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4302pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

357W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-247-3

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制造商

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系列

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

0V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 94µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.9nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

146pF @ 25V

FET功能

Depletion Mode

功耗(最大值)

1.8W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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CSD25310Q2

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制造商

系列

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FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

23.9mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

655pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.9W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1855pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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