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FDC6561AN

FDC6561AN

僅供參考

型號 FDC6561AN
PNEDA編號 FDC6561AN
描述 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 223,800
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 18 - 五月 23 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FDC6561AN資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FDC6561AN
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
FDC6561AN, FDC6561AN數據表 (總頁數: 5, 大小: 191.48 KB)
PDFFDC6561AN數據表 封面
FDC6561AN數據表 頁面 2 FDC6561AN數據表 頁面 3 FDC6561AN數據表 頁面 4 FDC6561AN數據表 頁面 5

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FDC6561AN規格

制造商ON Semiconductor
系列PowerTrench®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.5A
Rds On(Max)@ Id,Vgs95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs3.2nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds220pF @ 15V
功率-最大700mW
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供應商設備包裝SuperSOT™-6

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20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 500µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

36mOhm @ 5.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.1W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

25A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

4.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

736pF @ 15V

功率-最大

6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 50V

功率-最大

1.25W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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系列

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4Ohm @ 250mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

48pF @ 5V

功率-最大

350mW

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