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FD900R12IP4DVBOSA1

FD900R12IP4DVBOSA1

僅供參考

型號 FD900R12IP4DVBOSA1
PNEDA編號 FD900R12IP4DVBOSA1
描述 IGBT MODULE VCES 1200V 900A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 5 - 五月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD900R12IP4DVBOSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD900R12IP4DVBOSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FD900R12IP4DVBOSA1, FD900R12IP4DVBOSA1數據表 (總頁數: 9, 大小: 1,765.01 KB)
PDFFD900R12IP4DVBOSA1數據表 封面
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FD900R12IP4DVBOSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)900A
功率-最大5100W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.05V @ 15V, 900A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce54nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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600V

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.45nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 120A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

70nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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