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FD1000R17IE4BOSA2

FD1000R17IE4BOSA2

僅供參考

型號 FD1000R17IE4BOSA2
PNEDA編號 FD1000R17IE4BOSA2
描述 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,030
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 31 - 六月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

FD1000R17IE4BOSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號FD1000R17IE4BOSA2
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
FD1000R17IE4BOSA2, FD1000R17IE4BOSA2數據表 (總頁數: 9, 大小: 658.42 KB)
PDFFD1000R17IE4BOSA2數據表 封面
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FD1000R17IE4BOSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)-
功率-最大6250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 1000A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce81nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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功率-最大

690W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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Single

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 1000A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

81nF @ 25V

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NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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420A

功率-最大

1550W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

13nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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-

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