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F3L150R12W2H3B11BPSA1

F3L150R12W2H3B11BPSA1

僅供參考

型號 F3L150R12W2H3B11BPSA1
PNEDA編號 F3L150R12W2H3B11BPSA1
描述 IGBT MODULE VCES 600V 150A
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,706
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 7 - 六月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

F3L150R12W2H3B11BPSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號F3L150R12W2H3B11BPSA1
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
F3L150R12W2H3B11BPSA1, F3L150R12W2H3B11BPSA1數據表 (總頁數: 14, 大小: 996.4 KB)
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F3L150R12W2H3B11BPSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列-
IGBT類型-
配置Three Phase Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大500W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.75V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)1mA
輸入電容(Cies)@ Vce8.7nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝Module

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IGBT類型

PT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E1

供應商設備包裝

E1

CM30TF-12H

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

IGBTMOD™

IGBT類型

-

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

功率-最大

150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

GenX3™

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

595W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.35V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

14.8nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

供應商設備包裝

SOT-227B

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

Trench

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

17A

功率-最大

70W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

MiniPack2

供應商設備包裝

MiniPack2

APT50GP60J

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

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POWER MOS 7®

IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

329W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SOT-227-4, miniBLOC

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