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ESM3030DV

ESM3030DV

僅供參考

型號 ESM3030DV
PNEDA編號 ESM3030DV
描述 TRANS NPN DARL 300V 100A ISOTOP
制造商 STMicroelectronics
單價 請求報價
庫存 3,438
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 11 - 五月 16 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ESM3030DV資源

品牌 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ESM3030DV
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單

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ESM3030DV規格

制造商STMicroelectronics
系列-
晶體管類型NPN - Darlington
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)300V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic1.5V @ 2.4A, 85A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce300 @ 85A, 5V
功率-最大225W
頻率-過渡-
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC
供應商設備包裝ISOTOP®

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

22V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

350mV @ 100mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

340 @ 500mA, 2V

功率-最大

750mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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制造商

ON Semiconductor

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

220mV @ 15mA, 150mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

40 @ 150mA, 10V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

70mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

200V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.2V @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

2µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 10V

功率-最大

1W

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

50nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

功率-最大

625mW

頻率-過渡

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Through Hole

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