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EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

僅供參考

型號 EPC2107ENGRT
PNEDA編號 EPC2107ENGRT
描述 GAN TRANS 3N-CH 100V BUMPED DIE
制造商 EPC
單價 請求報價
庫存 4,140
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 15 - 六月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EPC2107ENGRT資源

品牌 EPC
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EPC2107ENGRT
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
EPC2107ENGRT, EPC2107ENGRT數據表 (總頁數: 10, 大小: 2,386.93 KB)
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EPC2107ENGRT規格

制造商EPC
系列eGaN®
FET類型3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET功能GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A, 500mA
Rds On(Max)@ Id,Vgs320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Vgs(th)(最大)@ ID2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds16pF @ 50V, 7pF @ 50V
功率-最大-
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱9-VFBGA
供應商設備包裝9-BGA (1.35x1.35)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.1A, 5.2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1055pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 20V

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.9nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1241pF @ 15V

功率-最大

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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