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EMX52T2R

EMX52T2R

僅供參考

型號 EMX52T2R
PNEDA編號 EMX52T2R
描述 TRANS 2NPN 50V 0.1A EMT6
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 3 - 六月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMX52T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMX52T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMX52T2R, EMX52T2R數據表 (總頁數: 10, 大小: 1,278.48 KB)
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EMX52T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 NPN (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡350MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

135 @ 1mA, 5V

功率-最大

600mW

頻率-過渡

200MHz

工作溫度

-

安裝類型

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晶體管類型

NPN, PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 10mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

120 @ 2mA, 6V

功率-最大

100mW

頻率-過渡

80MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-563, SOT-666

供應商設備包裝

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晶體管類型

7 NPN Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

500mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

當前-集電極截止(最大值)

50µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

功率-最大

-

頻率-過渡

-

工作溫度

-20°C ~ 70°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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晶體管類型

2 NPN (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

100V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

330mV @ 300mA, 3A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 10V

功率-最大

1.25W

頻率-過渡

140MHz

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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晶體管類型

4 NPN, 1 PNP Darlington

當前-集電極(Ic)(最大值)

1.5A, 3A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1.5V @ 2mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

2000 @ 1A, 4V

功率-最大

4W

頻率-過渡

-

工作溫度

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安裝類型

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