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EMT1T2R

EMT1T2R

僅供參考

型號 EMT1T2R
PNEDA編號 EMT1T2R
描述 TRANS 2PNP 50V 0.15A 6EMT
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 156,852
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 23 - 五月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMT1T2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMT1T2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列
數據表
EMT1T2R, EMT1T2R數據表 (總頁數: 9, 大小: 2,864.64 KB)
PDFIMT1AT108數據表 封面
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EMT1T2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型2 PNP (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)150mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)100nA (ICBO)
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce120 @ 1mA, 6V
功率-最大150mW
頻率-過渡140MHz
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

2.5V @ 2mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

1V @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

10µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

1.5W

頻率-過渡

-

工作溫度

-65°C ~ 200°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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