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EMH1FHAT2R

EMH1FHAT2R

僅供參考

型號 EMH1FHAT2R
PNEDA編號 EMH1FHAT2R
描述 NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,294
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 16 - 六月 21 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EMH1FHAT2R資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EMH1FHAT2R
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-陣列,預偏置
數據表
EMH1FHAT2R, EMH1FHAT2R數據表 (總頁數: 7, 大小: 927.23 KB)
PDFEMH1FHAT2R數據表 封面
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EMH1FHAT2R規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型2 NPN - Pre-Biased (Dual)
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)22kOhms
電阻-發射極基(R2)22kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce56 @ 5mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-563, SOT-666
供應商設備包裝EMT6

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10kOhms

電阻-發射極基(R2)

10kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

-

頻率-過渡

130MHz

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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制造商

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系列

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晶體管類型

1 NPN Pre-Biased, 1 PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA, 1.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V, 65V

電阻-基本(R1)

22kOhms

電阻-發射極基(R2)

22kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA / 260mV @ 100mA, 1.5A

當前-集電極截止(最大值)

1µA, 100nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

760mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74, SOT-457

供應商設備包裝

6-TSOP

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

47kOhms

電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

160 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

230mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SOT-553

供應商設備包裝

SOT-553

FMG11AT148

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

晶體管類型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2kOhms

電阻-發射極基(R2)

47kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

300mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-74A, SOT-753

供應商設備包裝

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晶體管類型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

100µA (ICBO)

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