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EGF1AHE3_A/I

EGF1AHE3_A/I

僅供參考

型號 EGF1AHE3_A/I
PNEDA編號 EGF1AHE3_A-I
描述 DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA
制造商 Vishay Semiconductor Diodes Division
單價 請求報價
庫存 3,508
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

EGF1AHE3_A/I資源

品牌 Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
制造商零件編號EGF1AHE3_A/I
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
EGF1AHE3_A/I, EGF1AHE3_A/I數據表 (總頁數: 4, 大小: 75.97 KB)
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EGF1AHE3_A/I規格

制造商Vishay Semiconductor Diodes Division
系列Automotive, AEC-Q101, Superectifier®
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)50V
電流-平均整流(Io)1A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1V @ 1A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)50ns
當前-反向泄漏@ Vr5µA @ 50V
電容@ Vr,F15pF @ 4V, 1MHz
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DO-214BA
供應商設備包裝DO-214BA (GF1)
工作溫度-結點-65°C ~ 175°C

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 2A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 800V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

DO-15

工作溫度-結點

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

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電流-平均整流(Io)

75A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

840mV @ 75A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 80V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

DO-203AB, DO-5, Stud

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

3µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

40pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

DO-201AD, Axial

供應商設備包裝

DO-201AD

工作溫度-結點

-65°C ~ 175°C

MURS160/2

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

600V

電流-平均整流(Io)

2A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

75ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

2.95V @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

55ns

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 600V

電容@ Vr,F

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