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ECH8619-TL-E

ECH8619-TL-E

僅供參考

型號 ECH8619-TL-E
PNEDA編號 ECH8619-TL-E
描述 MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A ECH8
制造商 ON Semiconductor
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庫存 3,186
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 30 - 五月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

ECH8619-TL-E資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號ECH8619-TL-E
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
ECH8619-TL-E, ECH8619-TL-E數據表 (總頁數: 6, 大小: 68.98 KB)
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ECH8619-TL-E規格

制造商ON Semiconductor
系列-
FET類型N and P-Channel
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3A, 2A
Rds On(Max)@ Id,Vgs93mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID-
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs12.8nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds560pF @ 20V
功率-最大1.5W
工作溫度150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SMD, Flat Lead
供應商設備包裝8-ECH

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A, 46A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 5.85mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1092pF @ 10V

功率-最大

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工作溫度

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安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.3nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1440pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 4.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.9A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23.6nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1366pF @ 16V

功率-最大

3.1W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1171pF @ 15V

功率-最大

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