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DTD713ZETL

DTD713ZETL

僅供參考

型號 DTD713ZETL
PNEDA編號 DTD713ZETL
描述 TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,580
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTD713ZETL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTD713ZETL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTD713ZETL, DTD713ZETL數據表 (總頁數: 7, 大小: 347.6 KB)
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DTD713ZETL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型NPN - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)200mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)30V
電阻-基本(R1)1 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce140 @ 100mA, 2V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡260MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝EMT3

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

50 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

100mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

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