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DTC143EEBHZGTL

DTC143EEBHZGTL

僅供參考

型號 DTC143EEBHZGTL
PNEDA編號 DTC143EEBHZGTL
描述 NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 3,474
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTC143EEBHZGTL資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTC143EEBHZGTL
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTC143EEBHZGTL, DTC143EEBHZGTL數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,387.59 KB)
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DTC143EEBHZGTL規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型NPN - Pre-Biased + Diode
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)-
電阻-基本(R1)4.7 kOhms
電阻-發射極基(R2)4.7 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce30 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 500µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)-
頻率-過渡250MHz
功率-最大150mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-89, SOT-490
供應商設備包裝EMT3F (SOT-416FL)

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased + Diode

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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功率-最大

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NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

200mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

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50V

電阻-基本(R1)

10 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

35 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

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