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DTB123TCT116

DTB123TCT116

僅供參考

型號 DTB123TCT116
PNEDA編號 DTB123TCT116
描述 PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANSIST
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 4,356
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 6 - 六月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTB123TCT116資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTB123TCT116
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
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DTB123TCT116規格

制造商Rohm Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)500mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)40V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce100 @ 50mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 2.5mA, 50mA
當前-集電極截止(最大值)500nA (ICBO)
頻率-過渡200MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供應商設備包裝SST3

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50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

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電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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電阻-基本(R1)

47 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

200MHz

功率-最大

200mW

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電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

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80 @ 5mA, 5V

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