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DTA124EM3T5G

DTA124EM3T5G

僅供參考

型號 DTA124EM3T5G
PNEDA編號 DTA124EM3T5G
描述 TRANS PREBIAS PNP 260MW SOT723
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,830
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 9 - 六月 14 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA124EM3T5G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA124EM3T5G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA124EM3T5G, DTA124EM3T5G數據表 (總頁數: 12, 大小: 177.1 KB)
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DTA124EM3T5G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)22 kOhms
電阻-發射極基(R2)22 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce60 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大260mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SOT-723
供應商設備包裝SOT-723

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制造商

Infineon Technologies

系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

70 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

170MHz

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

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晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 300µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

150MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-85

供應商設備包裝

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晶體管類型

PNP - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

22 kOhms

電阻-發射極基(R2)

47 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

250mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

SC-101, SOT-883

供應商設備包裝

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Panasonic Electronic Components

制造商

Panasonic Electronic Components

系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

510 Ohms

電阻-發射極基(R2)

5.1 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

20 @ 5mA, 10V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

-

功率-最大

125mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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制造商

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系列

-

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

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