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DTA123JU3HZGT106

DTA123JU3HZGT106

僅供參考

型號 DTA123JU3HZGT106
PNEDA編號 DTA123JU3HZGT106
描述 DTA123JU3HZG IS A DIGITAL TRANSI
制造商 Rohm Semiconductor
單價 請求報價
庫存 29,598
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 30 - 七月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA123JU3HZGT106資源

品牌 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA123JU3HZGT106
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置

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DTA123JU3HZGT106規格

制造商Rohm Semiconductor
系列Automotive, AEC-Q101
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)2.2 kOhms
電阻-發射極基(R2)47 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce80 @ 10mA, 5V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic300mV @ 250µA, 5mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡250MHz
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-70, SOT-323
供應商設備包裝UMT3

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100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 10mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電阻-發射極基(R2)

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

頻率-過渡

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功率-最大

200mW

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制造商

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系列

Automotive, AEC-Q101

晶體管類型

NPN - Pre-Biased

當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

電阻-基本(R1)

1 kOhms

電阻-發射極基(R2)

10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

33 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

200mW

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包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電阻-基本(R1)

2.2 kOhms

電阻-發射極基(R2)

2.2 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

30 @ 20mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

150mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

1µA

頻率-過渡

-

功率-最大

200mW

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電阻-基本(R1)

4.7 kOhms

電阻-發射極基(R2)

4.7 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

115 @ 100mA, 2V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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