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DTA114EET1G

DTA114EET1G

僅供參考

型號 DTA114EET1G
PNEDA編號 DTA114EET1G
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
制造商 ON Semiconductor
單價 請求報價
庫存 7,650
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 21 - 五月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

DTA114EET1G資源

品牌 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
制造商零件編號DTA114EET1G
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單,預偏置
數據表
DTA114EET1G, DTA114EET1G數據表 (總頁數: 13, 大小: 372.48 KB)
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DTA114EET1G規格

制造商ON Semiconductor
系列-
晶體管類型PNP - Pre-Biased
當前-集電極(Ic)(最大值)100mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)50V
電阻-基本(R1)10 kOhms
電阻-發射極基(R2)10 kOhms
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce35 @ 5mA, 10V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic250mV @ 300µA, 10mA
當前-集電極截止(最大值)500nA
頻率-過渡-
功率-最大200mW
安裝類型Surface Mount
包裝/箱SC-75, SOT-416
供應商設備包裝SC-75, SOT-416

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電阻-基本(R1)

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電阻-發射極基(R2)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 1mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 250µA, 5mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

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功率-最大

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

65 @ 100mA, 1V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

250mV @ 1mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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10 kOhms

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

230 @ 300mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

750mV @ 6mA, 600mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

56 @ 5mA, 5V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

300mV @ 500µA, 10mA

當前-集電極截止(最大值)

500nA (ICBO)

頻率-過渡

250MHz

功率-最大

150mW

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直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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